Características principales:
– Núcleos
8
e hilos
16
– Frecuencia base
4.7 GHz
, boost
5.2 GHz
– Caché L3 total de
96 MB
– Caché L2 total de
8 MB
– Socket
AM5
– TDP predeterminado de
120W
– Temperatura máxima de
95°C
– Tecnología de proceso
TSMC 4nm FinFET






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